8 SO
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

ZXMN2A04DN8TA

Codice DigiKey
ZXMN2A04DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
ZXMN2A04DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
ZXMN2A04DN8TA
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 5,9A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,9A
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 5,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
700mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22,1nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1880pF a 10V
Potenza - Max
1,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
ZXMN2
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 542
Scorte di fabbrica: 12’000
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.20000Fr. 2.20
10Fr. 1.42200Fr. 14.22
100Fr. 0.97780Fr. 97.78
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 0.76420Fr. 382.10
1’000Fr. 0.70918Fr. 709.18
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.20000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.37820