Canale N 20 V 4 A (Ta) 1,35W (Ta) A montaggio superficiale DFN322
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ZXMN2F34MATA

Codice DigiKey
ZXMN2F34MATR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
ZXMN2F34MATA
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 4 A (Ta) 1,35W (Ta) A montaggio superficiale DFN322
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
ZXMN2F34MATA Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±12V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
277 pF @ 10 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,35W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
DFN322
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 2,5A, 4,5V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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