ZXM64N035GTA Diodes Incorporated | Prodotti a semiconduttore discreti

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ZXM64N035GTA
Codice DigiKey	ZXM64N035GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXM64N035GTA
Descrizione	MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 35 V 4,8 A (Ta), 6,7 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXM64N035GTA Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	35 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,8 A (Ta), 6,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	50mohm a 3,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	950 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA