Name: ZXMN3B04N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3B04N8TR-ND
Price: 1.7296 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

ZXMN3B04N8TA
Codice DigiKey	ZXMN3B04N8TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN3B04N8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN3B04N8TA
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 7,2 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA (min)
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23.1 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2480 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 7,2A, 4,5V	Codice componente base ZXMN3

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 765

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.72960

ZXMN3B04N8TA