MOSFET - Array 60V 2,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
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ZXMN6A11DN8TA

Codice DigiKey
ZXMN6A11DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
ZXMN6A11DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
ZXMN6A11DN8TA
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 2,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA (min)
Produttore
Diodes Incorporated
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5,7nC a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
330pF a 40V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
1,8W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Contenitore del fornitore
8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,5A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
120mohm a 2,5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRF7103TRPBFInfineon Technologies9’472IRF7103PBFCT-NDFr. 1.09000Simile
In magazzino: 15
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.22000Fr. 1.22
10Fr. 0.77300Fr. 7.73
100Fr. 0.51360Fr. 51.36
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 0.40236Fr. 201.18
1’000Fr. 0.36654Fr. 366.54
1’500Fr. 0.34829Fr. 522.43
2’500Fr. 0.32778Fr. 819.45
3’500Fr. 0.31563Fr. 1’104.71
5’000Fr. 0.30382Fr. 1’519.10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.31882