MOSFET - Array 60V 2,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
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ZXMN6A11DN8TA

Codice DigiKey
ZXMN6A11DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
ZXMN6A11DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
ZXMN6A11DN8TA
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 2,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
120mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5,7nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
330pF a 40V
Potenza - Max
1,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
ZXMN6
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In magazzino: 7’215
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.11000Fr. 1.11
10Fr. 0.69900Fr. 6.99
100Fr. 0.46180Fr. 46.18
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 0.36010Fr. 180.05
1’000Fr. 0.32736Fr. 327.36
1’500Fr. 0.31067Fr. 466.00
2’500Fr. 0.29191Fr. 729.77
3’500Fr. 0.28080Fr. 982.80
5’000Fr. 0.27000Fr. 1’350.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.11000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.19991