
ZXMN6A11DN8TA | |
|---|---|
Codice DigiKey | ZXMN6A11DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN6A11DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | ZXMN6A11DN8TA |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 2,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA (min) |
Produttore Diodes Incorporated | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,7nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 330pF a 40V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,8W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,5A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 2,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | 9’472 | IRF7103PBFCT-ND | Fr. 1.09000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.22000 | Fr. 1.22 |
| 10 | Fr. 0.77300 | Fr. 7.73 |
| 100 | Fr. 0.51360 | Fr. 51.36 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 500 | Fr. 0.40236 | Fr. 201.18 |
| 1’000 | Fr. 0.36654 | Fr. 366.54 |
| 1’500 | Fr. 0.34829 | Fr. 522.43 |
| 2’500 | Fr. 0.32778 | Fr. 819.45 |
| 3’500 | Fr. 0.31563 | Fr. 1’104.71 |
| 5’000 | Fr. 0.30382 | Fr. 1’519.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.22000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.31882 |

