Name: ZXMN6A25DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A25DN8TR-ND
Price: 1.66474 CHF
Availability: InStock

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ZXMN6A25DN8TA
Codice DigiKey	ZXMN6A25DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN6A25DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN6A25DN8DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN6A25DN8TA
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 3,8 A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8 A
RDSon (max) a Id, Vgs	50mohm a 3,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20,4nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1063pF a 30V
Potenza - Max	1,8W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO
Codice componente base	ZXMN6

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In magazzino: 1’099

Scorte di fabbrica: 183’500

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)