ZXTN5551FLTA Diodes Incorporated | Transistor bipolari singoli

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ZXTN5551FLTA
Codice DigiKey	ZXTN5551FLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXTN5551FLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXTN5551FLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXTN5551FLTA
Descrizione	TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 160 V 600 mA 130MHz 330 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 10mA, 5V
Produttore Diodes Incorporated	Potenza - Max 330 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 130MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 600 mA	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 160 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 200mV a 5mA, 50mA	Codice componente base ZXTN5551
Corrente - Interruzione collettore (max) 50 nA (ICBO)

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (10)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MMBT5551-7-F	Diodes Incorporated	1’146	MMBT5551-FDICT-ND	Fr. 0.19000	Diretto
ZXTN5551FLQTA	Diodes Incorporated	0	31-ZXTN5551FLQTA-ND	Fr. 0.06761	Equivalente parametrico
MMBT5551LT3G	onsemi	17’841	MMBT5551LT3GOSCT-ND	Fr. 0.12000	Diretto
SMMBT5551LT1G	onsemi	14’893	SMMBT5551LT1GOSCT-ND	Fr. 0.17000	Diretto
SMMBT5551LT3G	onsemi	9’923	488-SMMBT5551LT3GCT-ND	Fr. 0.17000	Diretto

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