ZXTP5401FLTA Diodes Incorporated | Transistor bipolari singoli

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ZXTP5401FLTA
Codice DigiKey	31-ZXTP5401FLTATR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-ZXTP5401FLTACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXTP5401FLTA
Descrizione	TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 150 V 600 mA 100MHz 330 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXTP5401FLTA Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 60 a 10mA, 5V
Produttore Diodes Incorporated	Potenza - Max 330 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Frequenza - Transizione 100MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor PNP	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 600 mA	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 150 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 5mA, 50mA	Codice componente base ZXTP5401
Corrente - Interruzione collettore (max) 50 nA (ICBO)

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MMBT5401-7-F	Diodes Incorporated	387’603	MMBT5401-FDICT-ND	Fr. 0.17000	Diretto
CMPT5401 TR PBFREE	Central Semiconductor Corp	2’647	1514-CMPT5401TRPBFREECT-ND	Fr. 0.54000	Diretto
MMBT5401-G	Comchip Technology	6’033	641-2015-1-ND	Fr. 0.23000	Simile
MMBT5401LT1G	onsemi	27’759	MMBT5401LT1GOSCT-ND	Fr. 0.13000	Simile
NSVMMBT5401LT3G	onsemi	3’595	NSVMMBT5401LT3GOSCT-ND	Fr. 0.15000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT)

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.32430

ZXTP5401FLTA