Name: DI170SIC850D7
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI170SIC850D7TR-ND
Price: 4.8645 CHF
Availability: OutOfStock

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DI170SIC850D7
Codice DigiKey	4878-DI170SIC850D7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI170SIC850D7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI170SIC850D7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diotec Semiconductor
Codice produttore	DI170SIC850D7
Descrizione	SIC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 17
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 7 A (Tc) 62W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Diotec Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 198 pF @ 1000 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 62W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 850mohm a 2A, 20V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.86450

DI170SIC850D7