EPC2015 EPC | FET, MOSFET singoli

EPC2015 è obsoleto e non è più in produzione.

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EPC

In magazzino: 11’365

Prezzo unitario : Fr. 4.92000

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EPC2015
Codice DigiKey	917-1019-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2015
Descrizione	GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 33 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 33A, 5V
Produttore EPC	Vgs(th) max a Id 2,5V a 9mA
Serie eGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.6 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) +6V, -5V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Ta)	Contenitore/involucro Stampo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Codice componente base EPC20