eGaN Series
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EPC2100

Codice DigiKey
917-1180-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1180-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1180-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2100
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EPC2100 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
EPC
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Ta), 40 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
8,2mohm a 25A, 5V, 2,1mohm a 25A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 4mA, 2,5V a 16mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4,9nC a 15V, 19nC a 15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
475pF a 15V, 1960pF a 15V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Stampo
Contenitore del fornitore
Stampo
Codice componente base
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In magazzino: 220
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Data ultima possibilità d'acquisto: 19.02.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 8.61000Fr. 8.61
10Fr. 5.94600Fr. 59.46
100Fr. 4.44410Fr. 444.41
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 4.05000Fr. 2’025.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 8.61000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 9.30741