MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
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MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2101

Codice DigiKey
917-1181-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1181-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1181-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2101
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 9,5 A, 38 A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
EPC
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,5 A, 38 A
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 20A, 5V, 2,7mohm a 20A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 3mA, 2,5V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,7nC a 5V, 12nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
300pF a 30V, 1200pF a 30V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Stampo
Contenitore del fornitore
Stampo
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 8.46000Fr. 8.46
10Fr. 5.84200Fr. 58.42
100Fr. 4.36630Fr. 436.63
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 3.97912Fr. 1’989.56
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 8.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 9.14526