MOSFET - Array 80V 28A A montaggio superficiale Stampo
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
MOSFET - Array 80V 28A A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2103

Codice DigiKey
917-1183-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1183-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1183-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2103
Descrizione
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 80V 28A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
5,5mohm a 20A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 7mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6,5nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
760pF a 40V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
80V
Contenitore del fornitore
Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
28A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 8’030
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 8.97000Fr. 8.97
10Fr. 6.19500Fr. 61.95
100Fr. 4.82710Fr. 482.71
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 3.96452Fr. 1’982.26
1’000Fr. 3.94369Fr. 3’943.69
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 8.97000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 9.69657