MOSFET - Array 100V 1,7A A montaggio superficiale Stampo
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MOSFET - Array 100V 1,7A A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2106

Codice DigiKey
917-1110-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1110-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1110-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2106
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 1,7A A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
EPC2106 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
70mohm a 2A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 600µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,73nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
75pF a 50V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Contenitore/involucro
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Contenitore del fornitore
Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,7A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 13’457
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.21000Fr. 2.21
10Fr. 1.42800Fr. 14.28
100Fr. 0.97970Fr. 97.97
500Fr. 0.78806Fr. 394.03
1’000Fr. 0.73896Fr. 738.96
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.65985Fr. 1’649.63
5’000Fr. 0.61870Fr. 3’093.50
7’500Fr. 0.60373Fr. 4’527.98
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.38901