EPC2107 EPC | Prodotti a semiconduttore discreti

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EPC2107
Codice DigiKey	917-1168-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-1168-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-1168-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2107
Descrizione	MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EPC2107 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione	3 canali N (semiponte + bootstrap sincrono)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,7A, 500mA
RDSon (max) a Id, Vgs	320mohm a 2A, 5V, 3,3ohm a 2A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 100µA, 2,5V a 20µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	16pF a 50V, 7pF a 50V
Potenza - Max	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	9-VFBGA
Contenitore del fornitore	9-BGA (1,35x1,35)
Codice componente base	EPC210