MOSFET - Array 120V 3,4A Stampo
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
MOSFET - Array 120V 3,4A Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2110

Codice DigiKey
917-1152-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1152-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1152-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2110
Descrizione
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 120V 3,4A Stampo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 4A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 700µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,8nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
80pF a 60V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Contenitore/involucro
Stampo
Configurazione
Sorgente comune (doppia)a 2 canali N
Contenitore del fornitore
Stampo
Tensione drain/source (Vdss)
120V
Codice componente base
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,4A
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 10’739
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.66000Fr. 2.66
10Fr. 1.73400Fr. 17.34
100Fr. 1.20290Fr. 120.29
500Fr. 0.97582Fr. 487.91
1’000Fr. 0.95350Fr. 953.50
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.82399Fr. 2’059.97
5’000Fr. 0.77900Fr. 3’895.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.66000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.87546