MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
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MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2111

Codice DigiKey
917-1174-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1174-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
917-1174-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
EPC2111
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 16 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
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Categoria
Produttore
EPC
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
19mohm a 15A, 5V, 8mohm a 15A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 2mA, 2,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,2nC a 5V, 5,8nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
230pF a 15V, 595pF a 15V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Stampo
Contenitore del fornitore
Stampo
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.41000Fr. 3.41
10Fr. 2.24900Fr. 22.49
100Fr. 1.58860Fr. 158.86
500Fr. 1.30680Fr. 653.40
1’000Fr. 1.21631Fr. 1’216.31
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 1.18882Fr. 2’972.05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.41000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.68621