EPC2619ENGRT EPC | FET, MOSFET singoli

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EPC

In magazzino: 7’214

Prezzo unitario : Fr. 3.82000

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EPC2619ENGRT
Codice DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-EPC2619ENGRTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2619ENGRT
Descrizione	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 29 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,3mohm a 16A, 5V
Produttore EPC	Vgs(th) max a Id 2,5V a 5,5mA
Serie eGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.3 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1180 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Ta)	Contenitore/involucro Stampo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
EPC2619	EPC	7’214	917-EPC2619CT-ND	Fr. 3.82000	Simile

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