EPC2619ENGRT EPC | Prodotti a semiconduttore discreti

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EPC

In magazzino: 13’603

Prezzo unitario : Fr. 3.66000

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EPC2619ENGRT
Codice DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-EPC2619ENGRTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2619ENGRT
Descrizione	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 29 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	29 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,3mohm a 16A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 5,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1180 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Stampo
Contenitore/involucro	Stampo