Name: SI2301DS-EV
Brand: EVVO
SKU: 5272-SI2301DS-EVTR-ND
Price: 0.18377 CHF
Availability: InStock

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SI2301DS-EV
Codice DigiKey	5272-SI2301DS-EVTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5272-SI2301DS-EVCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5272-SI2301DS-EVDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EVVO
Codice produttore	SI2301DS-EV
Descrizione	P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Tempi di consegna standard del produttore	3 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,3 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore EVVO	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.1 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 503 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 3A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.17000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.18377

SI2301DS-EV