XR46000ESETR MaxLinear, Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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XR46000ESETR
Codice DigiKey	1016-2071-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	MaxLinear, Inc.
Codice produttore	XR46000ESETR
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 1,5 A (Tc) 20W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	XR46000ESETR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	MaxLinear, Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8ohm a 750mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	170 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	20W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	XR46000