FDG6303N onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDG6303N è obsoleto e non è più in produzione.

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FDG6303N
Codice DigiKey	FDG6303NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDG6303NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDG6303NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDG6303N
Descrizione	MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 25V 500mA 300mW A montaggio superficiale SC-88 (SC-70-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDG6303N Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	500mA
RDSon (max) a Id, Vgs	450mohm a 500mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2,3nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50pF a 10V
Potenza - Max	300mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88 (SC-70-6)
Codice componente base	FDG6303