FCB36N60NTM onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FCB36N60NTM è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

onsemi

In magazzino: 568

Prezzo unitario : Fr. 4.18000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 2’025

Prezzo unitario : Fr. 4.78000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FCB36N60NTM
Codice DigiKey	FCB36N60NTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCB36N60NTM
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 36 A (Tc) 312W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	SupreMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	36 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	90mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4785 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	312W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FCB36N60