Name: FDB047N10
Brand: onsemi
SKU: FDB047N10TR-ND
Price: 4.12942 CHF
Availability: OutOfStock

FDB047N10
Codice DigiKey	FDB047N10TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB047N10CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB047N10DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB047N10
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB047N10 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,7mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15265 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FDB047

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®:	800
Nastrato in bobina (TR):	800

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.41960	Fr. 1’135.68
1’600	Fr. 1.38513	Fr. 2’216.21

FDB047N10

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.12942