Name: FDC5614P
Brand: onsemi
SKU: FDC5614PTR-ND
Price: 0.70265 CHF
Availability: InStock

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FDC5614P
Codice DigiKey	FDC5614PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC5614PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC5614PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC5614P
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 3 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC5614P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	105mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	759 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	FDC5614

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Nastrato in bobina (TR)