Name: G05P06L
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G05P06LCT-ND
Price: 0.55131 CHF
Availability: OutOfStock

G05P06L è esaurito e non è attualmente disponibile per un ordine arretrato.

Sostituti disponibili:

Simile

Toshiba Semiconductor and Storage

In magazzino: 12’759

Prezzo unitario : Fr. 0.46000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

G05P06L
Codice DigiKey	3141-G05P06LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G05P06LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G05P06L
Descrizione	P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 5 A (Tc) 2,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 4A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1376 pF @ 50 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 2,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3