Name: G06P01E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G06P01ETR-ND
Price: 0.3243 CHF
Availability: InStock

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G06P01E
Codice DigiKey	3141-G06P01ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G06P01ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G06P01EDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G06P01E
Descrizione	P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 4 A (Tc) 1,8W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1087 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)