Name: G1K3N10G
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K3N10GTR-ND
Price: 0.62698 CHF
Availability: InStock

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G1K3N10G
Codice DigiKey	3141-G1K3N10GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G1K3N10GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G1K3N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G1K3N10G
Descrizione	N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 5 A (Tc) 1,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-89
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 130mohm a 5A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 644 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-89
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-243AA

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Nastrato in bobina (TR)