Name: G200P04S2
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G200P04S2TR-ND
Price: 1.19991 CHF
Availability: InStock

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G200P04S2
Codice DigiKey	3141-G200P04S2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G200P04S2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G200P04S2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G200P04S2
Descrizione	MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 9 A (Tc) 2,1W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Goford Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 42nC a 10V
Serie G	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2365pF a 20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2,1W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali P (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore del fornitore 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Tc)	Codice componente base G200
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 7A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.11000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.19991

G200P04S2