
G200P04S2 | |
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Codice DigiKey | 3141-G200P04S2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G200P04S2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G200P04S2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | G200P04S2 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 9 A (Tc) 2,1W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Goford Semiconductor | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 9 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2365pF a 20V | |
Potenza - Max | 2,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOP | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.03000 | Fr. 1.03 |
10 | Fr. 0.65100 | Fr. 6.51 |
100 | Fr. 0.43020 | Fr. 43.02 |
500 | Fr. 0.33514 | Fr. 167.57 |
1’000 | Fr. 0.30455 | Fr. 304.55 |
2’000 | Fr. 0.28152 | Fr. 563.04 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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4’000 | Fr. 0.25717 | Fr. 1’028.68 |
8’000 | Fr. 0.23897 | Fr. 1’911.76 |
12’000 | Fr. 0.23000 | Fr. 2’760.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.03000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.11343 |