Name: G65P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G65P06D5TR-ND
Price: 1.59988 CHF
Availability: OutOfStock

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G65P06D5
Codice DigiKey	3141-G65P06D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G65P06D5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G65P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G65P06D5
Descrizione	P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 65 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 20A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6138 pF @ 25 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 65 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFN (4,9x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN