Name: GT010N10TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT010N10TTTR-ND
Price: 4.20509 CHF
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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GT010N10TT
Codice DigiKey	3141-GT010N10TTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT010N10TTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT010N10TTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT010N10TT
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 380A 412W TOLT
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 380 A (Tc) 412W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	380 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,3mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13200 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)	412W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.89000	Fr. 3.89
10	Fr. 2.57900	Fr. 25.79

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)