Name: GT023N10TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT023N10TLTR-ND
Price: 4.31319 CHF
Availability: InStock

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GT023N10TL
Codice DigiKey	3141-GT023N10TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT023N10TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT023N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT023N10TL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 330A (Tc) 395W (Tc) A montaggio superficiale TOLL-8L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 80A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 121 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8058 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 395W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 330A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL-8L
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.35983	Fr. 2’719.66
4’000	Fr. 1.34572	Fr. 5’382.88

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.31319

GT023N10TL