Name: GT055N06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT055N06MTR-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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GT055N06M
Codice DigiKey	3141-GT055N06MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT055N06MCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT055N06MDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT055N06M
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 90 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,8mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2160 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	78W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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Nastrato in bobina (TR)