Name: GT065P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT065P06D5TR-ND
Price: 2.45387 CHF
Availability: InStock

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GT065P06D5
Codice DigiKey	3141-GT065P06D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT065P06D5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT065P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT065P06D5
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 103 A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a -20A, -10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 62 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5730 pF @ 30 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 178W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 103 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFN (4,9x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN