Name: GT070N15TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT070N15TLTR-ND
Price: 4.12942 CHF
Availability: InStock

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GT070N15TL
Codice DigiKey	3141-GT070N15TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT070N15TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT070N15TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT070N15TL
Descrizione	MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 200 A (Tc) 430W (Tc) A montaggio superficiale TOLL-8L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 40A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 89 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5865 pF @ 75 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 430W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL-8L
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.28824	Fr. 2’576.48
4’000	Fr. 1.26588	Fr. 5’063.52

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.12942

GT070N15TL