Name: GT080N10K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT080N10KTR-ND
Price: 1.95661 CHF
Availability: InStock

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GT080N10K
Codice DigiKey	3141-GT080N10KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT080N10KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT080N10KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT080N10K
Descrizione	N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 65 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 50A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 43 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2530 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 65 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.95661

GT080N10K