Name: GT100N04D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N04D3TR-ND
Price: 0.57293 CHF
Availability: InStock

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GT100N04D3
Codice DigiKey	3141-GT100N04D3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT100N04D3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT100N04D3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT100N04D3
Descrizione	N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 13 A (Tc) 23W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (3,15x3,05)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	13 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	642 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	23W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DFN (3,15x3,05)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN

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Nastrato in bobina (TR)