Name: GT100N12K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N12KTR-ND
Price: 1.89175 CHF
Availability: InStock

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GT100N12K
Codice DigiKey	3141-GT100N12KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT100N12KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT100N12KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT100N12K
Descrizione	N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 65 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore Goford Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2911 pF @ 60 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 65 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 35A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.89175

GT100N12K