Name: GT100N20TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N20TTTR-ND
Price: 4.33481 CHF
Availability: InStock

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GT100N20TT
Codice DigiKey	3141-GT100N20TTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT100N20TTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT100N20TTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT100N20TT
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 130 A (Tc) 280W (Tc) A montaggio superficiale TOLT
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 40A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 76 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4900 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 130 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLT
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.36765	Fr. 2’735.30
4’000	Fr. 1.35449	Fr. 5’417.96

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.33481

GT100N20TT