Name: GT105N10M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT105N10MTR-ND
Price: 1.80527 CHF
Availability: InStock

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GT105N10M
Codice DigiKey	3141-GT105N10MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT105N10MCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT105N10MDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT105N10M
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Goford Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1675 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 20A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.67000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.80527

GT105N10M