Name: GT6K2P10KH
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT6K2P10KHTR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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GT6K2P10KH
Codice DigiKey	3141-GT6K2P10KHTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT6K2P10KHCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT6K2P10KHDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT6K2P10KH
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 4,3 A (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	670mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	247 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	25W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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Nastrato in bobina (TR)