Name: GSFN3110
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSFN3110TR-ND
Price: 0.4324 CHF
Availability: InStock

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GSFN3110
Codice DigiKey	4786-GSFN3110TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4786-GSFN3110CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4786-GSFN3110DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Codice produttore	GSFN3110
Descrizione	MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 50 A (Tc) 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-PPAK (3,1x3,05)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PPAK (3,1x3,05)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN

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Nastrato in bobina (TR)