Name: SSF2319CJ1
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-SSF2319CJ1TR-ND
Price: 0.08648 CHF
Availability: InStock

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SSF2319CJ1
Codice DigiKey	4786-SSF2319CJ1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4786-SSF2319CJ1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4786-SSF2319CJ1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Codice produttore	SSF2319CJ1
Descrizione	MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 450mA (Tc) 312mW A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	450mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	600mohm a 300mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	40 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	312mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-523
Contenitore/involucro	SOT-523

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Nastrato in bobina (TR)