Name: IS20M028S1C
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 6500-IS20M028S1CTR-ND
Price: 3.05923 CHF
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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IS20M028S1C
Codice DigiKey	6500-IS20M028S1CTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 6500-IS20M028S1CCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 6500-IS20M028S1CDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	iDEAL Semiconductor
Codice produttore	IS20M028S1C
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 45 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 11,6A, 10V
Produttore iDEAL Semiconductor	Vgs(th) max a Id 4,1V a 70µA
Serie SuperQ™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2451 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 45 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PDFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerDFN