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FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1-ND |
Produttore | Infineon Technologies Americas Corp. |
Codice produttore | FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 |
Descrizione | FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 190A 20mW Montaggio su telaio AG-EASY2B |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 200A, 18V |
Produttore Infineon Technologies Americas Corp. | Vgs(th) max a Id 5,15V a 80mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 594nC a 18V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 17600pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 20mW |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 190A | Contenitore del fornitore AG-EASY2B |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 208.62000 | Fr. 208.62 |
| 18 | Fr. 174.19722 | Fr. 3’135.55 |
| 36 | Fr. 169.33139 | Fr. 6’095.93 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 208.62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 225.51822 |
