Name: GS0650182LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650182LMRXUSA1TR-ND
Price: 9.22093 CHF
Availability: InStock

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GS0650182LMRXUSA1
Codice DigiKey	448-GS0650182LMRXUSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-GS0650182LMRXUSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-GS0650182LMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	GS0650182LMRXUSA1
Descrizione	GS-065-018-2-L-MR
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 18 A (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 5,5A, 6V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,6V a 4,8mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4 nC @ 6 V
Stato componente Data di acquisto finale	Vgs (max) +7V, -10V
Tipo FET Canale N	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 132 pF @ 400 V
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PDFN (8x8)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-VDFN piazzola esposta

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IGL65R080D2XUMA1	Infineon Technologies	2’864	448-IGL65R080D2XUMA1CT-ND	Fr. 5.37000	Consigliato dal produttore

In magazzino: 273

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Data ultima possibilità d'acquisto: 30.09.2026

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 8.53000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 9.22093

GS0650182LMRXUSA1