Name: AIMBG120R120M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R120M1XTMA1TR-ND
Price: 2.93492 CHF
Availability: OutOfStock

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AIMBG120R120M1XTMA1
Codice DigiKey	448-AIMBG120R120M1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMBG120R120M1XTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 22A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 22 A (Tc) 130W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMBG120R120M1XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 7A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,1V a 2,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	458 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Codice componente base	AIMBG120

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Nastrato in bobina (TR)