Name: AIMDQ75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.96164 CHF
Availability: InStock

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AIMDQ75R060M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-AIMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMDQ75R060M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMDQ75R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMDQ75R060M2HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 750 V 30 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMDQ75R060M2HXTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,6V a 3mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 716 pF @ 500 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 128W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 750 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
RDSon (max) a Id, Vgs 56mohm a 13,8A, 20V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP

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In magazzino: 702

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
750	Fr. 2.60473	Fr. 1’953.55
1’500	Fr. 2.55113	Fr. 3’826.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.44000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.96164

AIMDQ75R060M2HXTMA1