AUIRF1405ZSTRL Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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AUIRF1405ZSTRL
Codice DigiKey	AUIRF1405ZSTRL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF1405ZSTRL
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 150 A (Tc) 230W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4780 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9mohm a 75A, 10V	Codice componente base AUIRF1405
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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